MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory) speichern im anders als die herkömmliche DRAM Speicher Ihre Informationen nicht mit 0 und 1, sondern mit der unterschiedlichen Ausrichtung von Magnetpaaren. Dabei wird nur bei Veränderungen  einer Information ein Stromimpuls verbraucht.  Diese Speicherart nicht flüchtig, d. h. Ihre Informationen gehen auch nach einem Abbruch der Stromversorgung nicht verloren. (Im Gegensatz zu den herkömmlichen Speichern.) Weiterhin ist der Lese- und  Schreibprozess der verwendeten Speichermatrix kompatibel mit der bestehenden  Metal-Oxid-Halbleiter Technologie (CMOS).

MRAMs können mit Hilfe der magnetischen Tunnelmethode (Magnetic Tunnel Junction) realisiert werden. Dabei sind zwei  ferromagnetische Filmschichten jeweils von einer dünnen dielektrischen  Barriere voneinander getrennt, der sogenannten magnetischen Tunnelbarriere. Den beiden ferromagnetischen Schichten lässt sich jeweils eine Magnetisierungsrichtung (Nord-, Südpol) zuordnen.  Durch das  Drehen der Magnetisierungsrichtung bei einer der Tunnelelektroden kann nun zwischen niedrigem und hohem Tunnelwiderstand geschaltet werden. Der messbaren elektrische Widerstand einer Tunnelbarriere ist bei gleicher ferromagnetischen Ausrichtung  beider Elektroden geringer (parallele Orientierung) als bei antiparalleler Ausrichtung und repräsentiert wiederum die binäre Zahl, 0 oder1.

Ein mit MRAM ausgestatteter Computer müsste Aufgrund der Fähigkeit seine Informationen auch bei Spannungsverlust zu behalten weder herunter gefahren, noch gebootet werden, man könnte rein theoretisch genau dort mit seiner Arbeitet fortfahren, wo man vor dem Abschalten des Computers aufgehört hat, da alle Informationen im Arbeitsspeicher blieben. Ein weitere Vorteil wäre der wesentlich geringere Energieverbrauch –  so benötigen MRAM Speicher im Vergleich zu den herkömmliche DRAM Speicher für den Lesevorgang  1/100 der Energie. Die Zugriffszeiten sollen mit den herkömmlichen Hauptspeichern vergleichbar sein. Wann der neue Speicherbaustein marktreif ist steht noch in den Sternen.